
上海源象化學(xué)歡迎您
公司介紹
>上海源象化學(xué)有限公司創(chuàng)立于2021年,是一家專業(yè)從事提供和開(kāi)發(fā)用于化學(xué)氣相沉積和原子層沉積薄膜材料所需的特種電子化學(xué)品—即 CVD 和 ALD 前驅(qū)體源,以支持相關(guān)科研院校在半導(dǎo)體、顯示、納米、新能源、催化等領(lǐng)域的學(xué)術(shù)研究。公司在蘇州建設(shè)有2000平方米的研發(fā)中心和多條生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)線,產(chǎn)品種類豐富。擁有完善的檢測(cè)條件包括大型潔凈室和ICP-MS等。團(tuán)隊(duì)主要由具有國(guó)際和國(guó)內(nèi)著名高校教育背景的博士和碩士組成,從業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富。公司產(chǎn)品種類豐富,可以提供文獻(xiàn)專利中已經(jīng)使用過(guò)的(目前常用的大多數(shù))前驅(qū)體源,也可以提供新型前驅(qū)體源的設(shè)計(jì)制備服務(wù)。
>我司的核心業(yè)務(wù)是提供研發(fā)級(jí)的先進(jìn)的 CVD 和 ALD 前驅(qū)體源,用于制備學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)用的金屬/氧化物/氮化物/碳化物/硅化物/硫化物薄膜。我們的檢測(cè)條件能夠分析PPb級(jí)的各種雜質(zhì),以確保所交付的產(chǎn)品適用于特定的應(yīng)用。同時(shí)我們支持客戶定制的分子的合成和純化工作。
>我司可提供定制合成的前驅(qū)體源種類豐富,分子結(jié)構(gòu)通常為配合物。其核心元素包括硅以及所有穩(wěn)定的金屬元素,具體分子結(jié)構(gòu)詳見(jiàn)產(chǎn)品列表
應(yīng)用領(lǐng)域

【半導(dǎo)體微納加工】
隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷提高,晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小,溝槽及其側(cè)壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),目前常用的物理氣相沉積(PVD)及化學(xué)氣相沉積( CVD )工藝已經(jīng)無(wú)法滿足極小尺寸下良好的臺(tái)階覆蓋要求,因此能夠控制納米級(jí)別厚度的高質(zhì)量超薄膜層制備的ALD技術(shù)成為未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)。ALD 技術(shù)可以大面積沉積均勻無(wú)孔的超薄膜,在亞納米尺度上精確控制膜厚,并且在高深寬比、形狀復(fù)雜的結(jié)構(gòu)中具有優(yōu)異的保形性。ALD 沉積薄膜的溫度窗口很寬,反應(yīng)對(duì)生長(zhǎng)溫度并不敏感,可以適應(yīng)不同溫度環(huán)境下的薄膜制備。ALD在半導(dǎo)體先進(jìn)制程中主要的應(yīng)用包括金屬柵、柵介質(zhì)層和互連線擴(kuò)散阻擋層加工工藝三個(gè)方面。發(fā)展至今,ALD 已經(jīng)成為應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)制程器件技術(shù)小型化的要求的重要技術(shù),在先進(jìn)制程領(lǐng)域有著廣泛且重要的應(yīng)用。

【多相催化】
利用ALD能夠獲得結(jié)構(gòu)清晰的催化劑,通過(guò)原子尺度的加工技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)催化劑尺度、組成、孔結(jié)構(gòu)和分散情況的精準(zhǔn)控制,能夠快速實(shí)現(xiàn)單因素實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì),深入認(rèn)識(shí)界面催化作用本質(zhì)。現(xiàn)階段,在催化劑界面調(diào)控方面,ALD 已經(jīng)發(fā)展出包覆法、超薄修飾法、選擇性 ALD 、模板輔助 ALD 和模板-犧牲層輔助 ALD 等多種策略,能夠獲得具有核殼、倒載金屬、氧化物阱限域金屬、多孔三明治、氧化物管多重限域、管套管式多界面和空間分離多界面等多種結(jié)構(gòu)。ALD 技術(shù)在催化領(lǐng)域的應(yīng)用可以促進(jìn)催化機(jī)理的研究與高性能催化劑的開(kāi)發(fā),最終推動(dòng)石油化工、生物催化等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。

【超級(jí)電容】
超級(jí)電容器由于功率密度高,循環(huán)壽命長(zhǎng),工作溫度范圍寬,安全穩(wěn)定等特點(diǎn),被認(rèn)為是替代傳統(tǒng)化石能源的高效能量轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)設(shè)備,與鋰電池等儲(chǔ)能手段相互補(bǔ)充。目前能量密度低的瓶頸限制其工業(yè)化應(yīng)用。在開(kāi)發(fā)新的超級(jí)電容器電極材料以提高其能量密度.納米結(jié)構(gòu)電極材料的研究加速了超級(jí)電容器的發(fā)展,相比塊狀材料,納米材料具有更高的比表面積,能存儲(chǔ)更高的能量,且小尺寸顆粒可以有效緩解充放電過(guò)程中電極的膨脹和收縮,防止電極材料粉化,提高循環(huán)穩(wěn)定性。ALD 技術(shù)具有自限制、自飽和以及優(yōu)異的三維共形性和大面積的均勻性,能夠在各種復(fù)雜的表面上進(jìn)行沉積,且厚度精準(zhǔn)可控,因而在超級(jí)電容器領(lǐng)域有很大的應(yīng)用前景。

【光伏太陽(yáng)能】
太陽(yáng)能電池的背鈍化技術(shù)能夠有效提高電池的效率。在目前已有的硅基體高效電池技術(shù)中,氧化鋁背鈍化太陽(yáng)電池將提升電池效率的工藝移至電池背面,因此其與其他的高效電池技術(shù)及新的提高電池效率的制造工藝有非常好的兼容性,可以與其他高效技術(shù)同時(shí)整合在硅太陽(yáng)能電池中。根據(jù)目前的研究進(jìn)展,ALD 技術(shù)制備的薄膜質(zhì)量高、均勻性好、鈍化效果佳,成為背鈍化技術(shù)發(fā)展的主流趨勢(shì)。另外,在最新的薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,ALD 鍍膜技術(shù)可以成為部分主要活性薄膜的生產(chǎn)工藝,也可以為鈣鈦礦薄膜等柔性光伏組件提供良好的水氧阻隔封裝。

【鋰電池隔膜材料】
目前在新能源乘用車領(lǐng)域,動(dòng)力電池的主流是三元材料鋰電池。 “三元材料”是指鎳鈷錳酸鋰NCM正極材料。鎳、鈷、錳三種金屬元素按照不同的配比不同,形成不同種類的三元材料。通過(guò)提高鎳含量,可以延長(zhǎng)續(xù)航里程,但是材料的穩(wěn)定性也會(huì)變差,易燃易爆炸,這是三元鋰電池安全隱患的根源。原子層沉積可以通過(guò)使用特殊材料在粉末狀的錳、鈷、鎳等正極材料表面均勻鍍膜,形成只有幾納米厚度的“核-殼”結(jié)構(gòu)層,使屬性活躍的高鎳材料“安靜”下來(lái),不再容易分解或與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),從而提高其安全性。此外、由于正極材料粉末鍍膜后,減少了與其他物質(zhì)反應(yīng)所產(chǎn)生的損耗,讓電池續(xù)航更接近其理論值。同時(shí),由于材料更穩(wěn)定等因素,允許的最大充電電流也相應(yīng)變大,使得汽車的充電速度也可大幅度提高。

【OLED柔性屏隔膜】
OLED是對(duì)水和氧的防護(hù)比較弱的有機(jī)材料。為了保護(hù)OLED,制造商會(huì)在OLED之上鋪上許多層的薄膜,減少水和氧的侵蝕以延長(zhǎng)使用壽命和維持性能。ALD技術(shù)可以制備原子薄膜層,MLD(分子層沉積)技術(shù)可以形成有機(jī)材料分子層,兩者結(jié)合就可以形成多層屏障,保護(hù)OLED,使之免受水和氧的侵蝕,即使在低溫下也可以形成。與現(xiàn)有的CVD方法相比,引進(jìn)ALD技術(shù)在屏幕生產(chǎn)過(guò)程中有一些特別的優(yōu)勢(shì),例如它可以減少雜質(zhì),形成厚度相同的高質(zhì)量薄膜阻隔層,保護(hù)效果明顯增強(qiáng)。除此之外,ALD 技術(shù)還可以制備的薄膜種類更加繁多,選擇性更大,這也是它的一個(gè)優(yōu)勢(shì)。

【先進(jìn)材料表面改性】
ALD 技術(shù)是一種從底部向上的制備薄膜涂層方法。該技術(shù)是依靠連續(xù)的、自限和表面控制的氣相化學(xué)反應(yīng)而進(jìn)行的。期間連續(xù)的原子層會(huì)以周期方式沉積在表面上,直到達(dá)到所需的膜厚度。這種成膜機(jī)制可以生產(chǎn)出無(wú)裂紋、無(wú)缺陷和無(wú)氣孔的致密材料,并且該方法還可以在低溫下進(jìn)行聚合物和其他敏感材料的涂覆。ALD 的表面改性特性可以應(yīng)用于醫(yī)療器械、珠寶加工等領(lǐng)域。特殊設(shè)計(jì)的ALD膜具有超薄性、生物相容性和生物活性,可應(yīng)用在制備外科植入物上從而可以提高植入物與骨骼的粘附,不僅加快了愈合過(guò)程,還可以保護(hù)患者免受金屬離子從植入物泄漏到體內(nèi)的威脅。ALD技術(shù)在醫(yī)療穿戴和可植入傳感器空間這一領(lǐng)域具有很大的發(fā)展前景。

【光學(xué)器件】
3D光學(xué)元件鍍膜時(shí),面臨的挑戰(zhàn)是采用簡(jiǎn)單的方式高均勻性地涂覆沉積鍍膜。用于光學(xué)鍍膜的常用技術(shù)包括磁控濺射、蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)(EBE)和離子束濺射(IBS), 所有這些技術(shù)均稱為視線法。這會(huì)導(dǎo)致厚度分布和陰影效果不均勻。ALD 克服了這些限制條件,并證明了其能夠有效應(yīng)對(duì)高精度無(wú)針孔薄膜的挑戰(zhàn),不僅大規(guī)模實(shí)現(xiàn)了均勻性,而且在高縱橫比結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)共形涂覆。目前,ALD 技術(shù)已達(dá)到極高的可靠性,使其成為批量生產(chǎn)關(guān)鍵光學(xué)涂層的絕佳替代品。此外,這種光學(xué)涂層也可以用于珠寶首飾加工行業(yè),為ALD技術(shù)的發(fā)展開(kāi)拓了一個(gè)方向。
業(yè)務(wù)范圍
我們的目標(biāo)
- 我司的核心業(yè)務(wù)是提供研發(fā)級(jí)的先進(jìn)的CVD和ALD前驅(qū)體源,用于制備學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)用的金屬/氧化物/氮化物/碳化物/硅化物/硫化物薄膜。我們的檢測(cè)條件能夠分析PPb級(jí)的各種雜質(zhì),以確保所交付的產(chǎn)品適用于特定的應(yīng)用。同時(shí)我們支持客戶定制的分子的合成和純化工作。
- 我們致力于成為國(guó)內(nèi)沉積材料細(xì)分領(lǐng)域主要的、可靠的綜合供應(yīng)商。我們的使命是在戰(zhàn)略型電子材料本土化的進(jìn)程中發(fā)揮關(guān)鍵作用,并進(jìn)一步使新興技術(shù)在全球范圍得到創(chuàng)新和長(zhǎng)期發(fā)展。
- 我們是一家以客戶為導(dǎo)向的公司,致力于為客戶提供優(yōu)質(zhì)高純ALD/CVD前驅(qū)體源以及相關(guān)服務(wù)。
- 源象擁有多種高端檢測(cè)方法,ICP-MS、核磁、紅外、液相色譜、飽和蒸氣壓-TGA測(cè)定儀器,可以保障產(chǎn)品質(zhì)量并提供完整的物性數(shù)據(jù)。
- 我們是一家以客戶為導(dǎo)向的公司,致力于為客戶提供優(yōu)質(zhì)高純ALD/CVD前驅(qū)體源以及相關(guān)服務(wù)。
提供高純度電子化學(xué)品
我們的服務(wù)
>我司提供上百種常用ALD和CVD前驅(qū)體產(chǎn)品,能供應(yīng)從克級(jí)到公斤級(jí)規(guī)模的多種規(guī)格,產(chǎn)品純度最高可達(dá)6.5N,并支持為客戶定制合成。
>針對(duì)客戶實(shí)際需求,我司提供鋼瓶的定制、清洗、灌裝等服務(wù)。同時(shí)提供ICP-MS等先進(jìn)的材料表征服務(wù),能夠?qū)Ξa(chǎn)品和鋼瓶進(jìn)行ppb級(jí)別的純度分析。配備氦質(zhì)譜檢漏儀,保證所有出貨的鋼瓶氣密性良好。
- 擁有先進(jìn)的合成實(shí)驗(yàn)室和中試研發(fā)線,能供應(yīng)克級(jí)到公斤級(jí)規(guī)模的CVD和ALD前驅(qū)體源,并支持為客戶定制合成。
- 擁有化學(xué)實(shí)驗(yàn)室和小批量生產(chǎn)線,部署了先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備來(lái)完成客戶的各種需求
- 提供鋼瓶的定制、清洗、灌裝等服務(wù),并提供定制化的鋼瓶液位測(cè)量解決方案。配備氦質(zhì)譜檢漏儀,保證所有出貨的鋼瓶氣密性良好。
- 更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)
- 更優(yōu)秀的產(chǎn)品
- 更專業(yè)的支持
- 更豐富的經(jīng)驗(yàn)


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